Fgh 60n60 Fgh-60n60 Fgh60n60 Transistor Igbt N 600v 120a

Descripción

Los transistores IGBT ofrecen tecnología de rendimiento optimo para UPS, soldadores y aplicaciones PFC, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales.

ESPECIFICACIONES

- Temperatura máxima de Conexiones: TJ = 175oC
- Temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo
- Alta capacidad de corriente
- Baja tensión de saturación: VCE (sat) = 1.9 V (Típico) @ IC = 60A
- Alta impedancia de entrada
- Conmutación rápida
- Apretar parámetros de distribución
- Compatible con RoHS

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

- Familia: de transistores Igbt-Single
- Tipo IGBT: Diafragma de campo
- voltaje Colector-Emisor (Máx.): 600 V
- Actual-Colector (Ic) (Máx.): 120A
- Actual-Colector Pulsada (Icm): 180A
- Vce (on) (Máx.) Vge, Ic: 2.5 V @ 15 V, 60A
- Energía-Máxima: 600 W
- Eonmutación de la Energía: 1.26mJ (a), 450 y micro; J (off)
- Tipo de entrada: estándar
- Bloquee la Carga: 189nC
- Td (on/off) @ 25 ° C: 18ns/104ns

- 1 Transistor FGH60N60

SKU: FGH60N60