Lote 10 Transistores Irf Mosfet Originales Varios Modelos

Descripción

LOTE VARIADO 10 TRANSISTORES MOSFET ORIGINALES
3 TRANSISTORES IRF530N
3 TRANSISTORES IRF540N
1 TRANSISTOR IRF640N
1 TRANSISTOR IRF840N
2 TRANSISTORES IRF510

Las características de cada uno:

IRF510
Tipo de canal de control: N -canal
Disipación de potencia máxima (Pd): 43 W
Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 100 V
Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 20 V
Umbral máximo de umbral de puerta | Vgs (th) |: 4 V
Corriente de drenaje máxima | Id |: 5.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 ° C
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Capacidad de drenaje-fuente (Cd): 81 pF
Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0.54 Ohm

IRF530N
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.11 Ohm

IRF540N
Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 V
Corriente de Drain (ID): 33 A
Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 miliOHM
Baja resistencia térmica

IRF640N
- Polaridad del transistor: Canal P
- Continuous Drain Current Id: 64A
- Drain Source Voltage Vds: 55V
- On Resistance Rds(on): 20miliOHM
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V
- Threshold Voltage Vgs Typ: -4V
- Power Dissipation Pd: 150W

IRF840N
Tipo: N-Channel
- Encapsulado: TO-220
- Tensión de drain source (Vds_max): 500V
- Corriente máxima de drain (Id_max): 8A
- Resistencia en estado de encendido (Rds_on): 0.85Ohm
- Charge Gate (Qg): 65 nC


CUALQUIER CONSULTA SERA RESPONDIDA! EL PRECIO ES POR ESOS 10 TRANSISTORES! ES UN LOTE REMANENTE, NO TENEMOS OTROS MODELOS O CANTIDAD! ES LO QUE SE VE EN LAS IMAGENES!

Garantía del vendedor: 30 días