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Transistor Toshiba TO-3PL 2SC5200 NPN/PNP

Unidades por pack: 1
Voltaje máximo soportado: 230V.
Corriente máxima soportada: 15A.
Potencia máxima soportada: 150W.

3 X Triac Z0109 / Z0107 /zo103 /z0109mn/ Sens Gate 1a

Tip3055 Transistor Npn Potencia 15a 60v 90w Top-3 Pack X1

Tip142 Transistor Npn Darlington 10a 100v To-218 Pack X1

10 Transistores Bc560b Bc560 Pnp Low Noise

(tip35c) Transistor Npn Bipolar Lf 25a 100v 125w To-247 X1

Bc640 Transistor Pnp Bipolar Pack X10 Unidades

Tip36c Transistor Pnp Bipolar Lf 25a 100v 125w Pack X1

Tip147 Transistor Pnp Darlington 10a 100v

Transistor Irf840 Mos-fet N-ch 8a 500v To-220

Bc560c Bc560 Transistor Pnp Low Noise Pack X10 Un.

2sb772p Transistor Pnp Switching 3a 40v 10w To-126 Pack X10

Par De 2sd669 2sd669a 669a Transistor Npn Switching 1.5a (2)

Sgsp477 = Irfp240 Transistor Mosfet Canal N 20a 200v To-218

Transistor Irfp250n Mos-fet N-ch 33a 200v .085 E

Tip2955 Transistor Pnp Potencia 15a 60v 90w Top-3 Pack X1

100% Original Stw33n20 = Irfp250 Mosfet 33a 200v 33n20

Irfp150n-ir Transistor Mos-fet N-ch 40a 100v .055 E X1

Bf199 Transistor Npn Tv/f.i. Ft=550mhz To-92 Bf199 Pack X10

10 Transistores Mpsh10d Smd Npn Vhf-uhf Ft=650mhz

3 Transistores 2n6027 Pnp Monojuntura Prog. 0.4w 40v To-92

2sd882p 2sd882 Transistor Npn 3a 40v 10w To-126 Pack X10

2 Transistores Irf830 Mos-fet N-ch 4.5a 500v 1.50 E

4 Transistores Bd139 Npn Bipolar Lf 1.5a 80v 12.5w St

30 Transistores 2n3904 Npn Switch 0.2a 40v 350mw To-92

Descripción

TRANSISTOR DE POTENCIA
Marca: TOSHIBA
Modelo: 2SC5200
Color: VER FOTO

Alto voltaje de ruptura: VCEO = 230 V (min)
Complementario a: 2SA1943
Recomendado para amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100 W etapa de salida.

Collector-base voltage VCBO 230 V
Collector-emitter voltage VCEO 230 V
Emitter-base voltage VEBO 5 V
Collector current IC 15 A
Base current IB 1.5 A
Collector power dissipation (Tc = 25 grados) PC 150 W
Junction temperature Tj 150 Grados
Storage temperature range Tstg -55 to 150 Grados